Panell solar monocristal·lí 555-575W

La recombinació d'electrons i forats a la superfície i qualsevol interfície és el principal factor que limita l'eficiència cel·lular, i
s'han desenvolupat diverses tecnologies de passivació per reduir la recombinació, des de la fase inicial BSF (Back Surface Field) fins a PERC (emissor passivat i cèl·lula posterior), les últimes tecnologies HJT (heterojunction) i les actuals TOPCon. TOPCon és una tecnologia de passivació avançada, que és compatible amb les hòsties de silici de tipus P i de tipus N i pot millorar molt l'eficiència de la cèl·lula fent créixer una capa d'òxid ultrafina i una capa de polisilici dopada a la part posterior de la cèl·lula per crear una bona passivació interfacial. Quan es combinen amb hòsties de silici de tipus N, s'estima que el límit d'eficiència superior de les cèl·lules TOPCon és del 28,7%, superant el de PERC, que seria al voltant del 24,5%. El processament de TOPCon és més compatible amb les línies de producció PERC existents, equilibrant així un millor cost de fabricació i una major eficiència del mòdul. S'espera que TOPCon sigui la tecnologia cel·lular principal en els propers anys.